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氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300~500℃热处理会产生热施主,锂电负材硅供应商,而经650℃以上热处理可除热施主,同时产生氧沉淀成核中心,在更高温度下处理会产生氧沉淀,形成层错和位错等诱生缺陷,锂电负材硅多少钱一吨,利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性,发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺,能提高器件的成品率。

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