统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件，通过有变压器的逆变器负极接地，消除组件边框相对于电池片的正向偏压会有效的预防PID现象的发生，但逆变器负极接地会增加相应的系统建设成本。
20世纪90年代后，光伏发电快速发展，到2006年，世界上已经建成了10多座兆瓦级光伏发电系统，6个兆瓦级的联网光伏电站。美国是早制定光伏发电的发展规划的国家。1997年又提出“百万屋顶”计划。日本1992年启动了新阳光计划，到2003年日本光伏组件生产占世界的50%，世界前厂商有4家在日本。而德国新可再生能源法规定了光伏发电上网电价，大大推动了光伏市场和产业发展，使德国成为继日本之后世界光伏发电发展快的国家。瑞士、法国、意大利、西班牙、芬兰等国，也纷纷制定光伏发展计划，光伏组件支架生产厂家，并投巨资进行技术开发和加速工业化进程。
太阳能电池由于其材料的稀有性和部分材料具有公害，现阶段未被市场广泛采用.太阳能电池的主品的材料是半导体硅，是现代电子工业的的材料，同时以氧化状态的硅原料是世界上第二大的储藏物质。太阳能产业的蓬展除了拉动多晶硅与电池组件等主品外，也拉动了辅助材料的需求，而且由于早期辅助材料多数为国外几家大厂垄断，价格高昂，因此国产化的动力与利润空间均相当大。 辅助材料包括但不限于晶硅电池电池生产中的电极材料、保护气体、背板材料，薄膜电池生产中的超白玻璃、气体、靶材、封装胶膜等
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