7.
半导性陶瓷
虽然一般的陶瓷是绝缘体，但是经过适当的处理，也可以具有半导的性质，具有半导性的陶瓷可以有许多的用途，压电陶瓷联系方式，例如氧化锌与数种适当的添加物可以制成变阻器，由於它具有吸收突波的特性，可以用来保护电子元件，防止突波的破坏。有些半导性陶瓷的导电性因温度的不同变化很大，可以用来量测温度，以PTC（正温度系数）陶瓷做加热器具有自动控温的特能，如近来常见的陶瓷暖炉，就是一例。此外半导性陶瓷还可以做湿度或气体感测器，
具有元件简单，但灵敏度高的特性。
就工艺而言，传统陶瓷工艺仍为经济的选择.铅压电陶瓷在材料体系、电学性能、制备工艺等多方面还存在许多不足之处，还有一些亟待解决的科学和技术问题.就作者看来，无铅压电陶瓷的研究和开发还需要做大量的工作，主要应着眼于以下6个方面:(1)钙钛矿铅基PZT陶瓷和钙钛矿无铅压电陶瓷(即BNT基、KNN基及BaTiO3基等钙钛矿无铅陶瓷)本质属性的异同.(2)无铅压电陶瓷新型体系的构建和拓展.理论计算表明，A位含Bi的(类)钙钛矿化合物BMiO3(M=A、lSc、Ga等)拥有极大的剩余极化强度，因此，含Bi钙钛矿型化合物可望成为新型[148]的无铅陶瓷候选体系.再如，已有实验表明，AgNbO3在室温下展现出双电滞回线，具有极大的极化强度(52LC/cm)，有可能发展出新型的AgNbO3基无铅压电陶瓷材料.(3)BNT基和KNN基陶瓷材料压电性的起源、相变特性、温度稳定性及改性手段的研究.(4)超高温无铅压电陶瓷的研究和开发.(5)与实际生产兼容性良好的新型陶瓷制备工艺研究.(6)无铅压电陶瓷的实用化研究.认识和明确上述问题，有利于无铅压电陶瓷新型体系的构建，有利于获得新的压电性能强化手段，有效地拓展无铅压电陶瓷的研究对象，从而有力推进无铅压电陶瓷
的实用化，实现压电陶瓷的/无铅化
氧化物掺杂改性 从铅基陶瓷发展历程可知，氧化物掺杂改性是提高PZT陶瓷电学性能的必要途径，是PZT陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(MPB)组成的Pb(Ti0.48Zr0.52)O3陶瓷d33仅为223pC/N，而在La，Nb等施主掺杂改性后，其d33升高至274~710pC/N，从而满足实际应用的要求.类似地，氧化物掺杂改性对BNT基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的BNT基陶瓷的压电性能.从表4可以看出，类似于氧化物改性的PZT陶瓷，受主和施主离子掺杂改性将导致BNT基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.Mn和Co一般显示出受主掺杂效应.Co掺杂提高了机械品质因数Qm，压电性能略为降低;与Co稍有不同，Mn掺杂使Qm提高，也改善了压电性能，这可能是由于陶瓷致密度的改善和Mn元素本身的多价态特性.
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