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EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。







微光显微镜光发射显微镜是器件分析过程中针对漏电失效模式，的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺陷，温州自动烧录，或者期间经过外界静穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下，自动烧录生产厂家，内部形成流动电流，自动烧录哪家好，漏电位置的电子会发生迁移，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，从而形成200nm~1700nm红外线。光发射显微镜主要利用红外线侦测器，通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线，从而的定位到器件的漏电点。




微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electr;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。




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