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EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gate oxide defects)、静电放电破坏(ESD Failure)、闩锁效应(Latch Up)、漏电(Leakage)、接面漏电(Junction Leakage) 、顺向偏压(Forward Bias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(Hot Spot 或找亮点)位置，自动烧录价格，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。

微光显微镜emmi检测和emmi分析解说

通常第三方检测实验室用户对emmi检测需要了解哪些内容呢？首先在分析故障的时候利用微光显微镜，自动烧录设备，它的主要特点是效率非常高，主要侦测IC内部所发射出来的光子，自动烧录供应商，在检测芯片的时候由于电子很容易扩散到的位置。所以做emmi检测通常是非常有必要的。它的主要优势就是通过产生亮点的缺陷，能够接处毛刺从而有效的进行分析，辽宁自动烧录，可以检测不到亮点的情况，然后进行排除。同时利用光诱导的电阻变化能够准确的，对于IC元件的短路，或者是互联当中所出现的空洞来进行检测，这样才会更加的。

微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electr;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。




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