含镁大于2%的合金不能用。在高温，一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。四氟化1碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化1碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅，四氟化碳公司，随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
高纯四氟化碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域，可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等离子蚀刻气体。此外，高纯四氟化碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四氟化碳用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。四氟化碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，随后通过硅胶干燥塔得到产品。
由碳与氟反应，或一氧1化碳与氟反应，四氟化碳，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲1烷与氟化1氢反应，四氟化碳批发，或四氯化1碳与氟化银反应，或四氯1化碳与氟化1氢反应，都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果与浓度有关，包括头1痛、恶心、头昏眼花及心1血管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
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