在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。
它在大气中的寿命约为50，000年，增温(暖化)系数是6，500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似，高纯四氟化碳，但四氟化碳不会破坏臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，四氟化碳价格，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。
由碳与氟反应，四氟化碳公司，或一氧4化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲4烷与氟4化氢反应，或四氯4化碳与氟化银反应，或四氯4化碳与氟化4氢反应，都能生成四氟化碳。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。对于硅和二氧化硅体系，宁波四氟化碳，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
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