而在绝缘体中，价带和导带之间存在很大的能隙，金属硅粉价格，电子无法通过这个能隙进行传导。而在半导体硅结构中，价带和导带之间的能隙比较小，因此电子可以通过这个能隙进行传导，但是传导的能力比导体要差很多。半导体硅结构的导电性可以通过掺杂来改变。掺杂是指在半导体硅结构中加入一些杂质原子，这些杂质原子会改变半导体硅结构的电子能带结构，从而影响其导电性。
实验表明，引入第二组元形成体系能降低硅的体积膨胀系数，利用活性元素或者非活性元素本身的一些特性，如金属延展性、成键特性等，缓解硅在嵌脱锂过程中产生的体积效应。硅的多孔化一方面能增加硅主体材料与电解液接触的比表面积，提高锂离子往材料内部的输运效率，增强材料的导电性，另一方面能为硅在充放电过程中可能存在的体积膨胀预留空间，河南金属硅粉，减少硅体积效应对极片的影响。
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