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平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场,亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结,一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜,但是靶表面会氧化而影响溅射率,并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材,利用L}IRF反应溅射镀膜.它具有沉积速度快.且能控制膜厚,电导率高,薄膜的一致性好,与基板的附着力强等优点。
在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,黑龙江贵金属靶材,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构,贵金属靶材加工,TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
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