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晶体谐振器与晶体振荡器的区别

1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，差分输出晶振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。

3，晶体振荡器种类复杂繁多，差分输出晶振生产厂家，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。

4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，差分输出晶振报价，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较高精度可达到0.5ppm，晶体谐振器较高精度只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较高精度仅仅只有10PPM。

5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。

其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，如若两者混淆采购，差分输出晶振单价，电路将无法正常起振。

晶振的负载电容

晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。

一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。

一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。

晶体振荡器基本知识

1、概念：电路上为一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，有两个谐振点，较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。

这两个频率接近，再很窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，只要在晶振的两端并联上合适的电容就可以组成并联谐振电路。

2、选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率；

3、分类：无源晶振（crystal，晶体）、有源晶振（oscillator，振荡器）；

4、振荡原理：压电效应；

5、压电谐振：当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片的尺寸）相等时，机械振动的幅度急剧增加；

6、石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC来共同作用工作的；

振荡器直接应用于电路中，谐振器的工作一般需要提供3.3V的电压来维持工作。

振荡器比谐振器多了一个重要的技术参数：谐振电阻（RR）；

7、Q值：衡量电感的主要参数，指电感器再某一频率的交流下工作时，所呈现的感抗与等效损耗电阻之比。

Q值越高，损耗越小，效率越高；